Tras la entrada de Samsung en la fabricación de chips de memoria en 20 nanómetros, que por el momento se usan en memorias flash SD, Intel ha anunciado esta semana sus primeros chips de memoria NAND fabricados en 20 nanómetros.
Los nuevos chips de memoria NAND MLC (Multi-Level Cell) de Intel tendrán una capacidad de hasta 128 GB, con lo que, y según la empresa californiana, podrán tener memorias flash con hasta 1 TB de capacidad en el tamaño de una huella dactilar.
Estas memorias estarán destinadas, principalmente, al desarrollo de sistemas de almacenamiento integrados (como los que incluyen los tablets y smartphones actuales), unidades de estado sólido (SSD), y equipos que tengan grandes requerimientos de rendimiento.
Se prevé que las nuevas memorias de Intel comiencen a integrarse en las unidades SSD que se comercialicen a lo largo de 2012.
Vía: Xataka
Enlace: Intel
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